ABB | 3BHL000390P0104 5SHX1960L0004 | IGCT-MODUL

Produktbeschreibung: 

Die IGCT-Technologie wendet zwei Integrationsebenen an: monolithisch an der Wafer und Hybrid für die Peripherie des GCT.
In vielen Fällen ist die antiparallel Dioden können monolithisch integriert werden. Dadurch entfällt der Diodenstapel und zugehörige Starkstromanschlüsse.
Erst bei den höchsten Strömen wird eine solche Integration unpraktisch und GCT und Diode müssen getrennt bleiben. Durch die Hybridintegration wird eine engere Verschmelzung von GCT, Treiber und Kühler erreicht. Die Synergien des mechanischen Aufbaus ergeben Vorteile hinsichtlich reduzierter Größe, größerer Stabilität und niedrigerer Kosten. Der harte, eindeutige Antrieb erzielt einen insgesamt gleichmäßigen, ruhigen Lauf. Jedes Segment des Wafers, von dem ein 3-kA-Gerät mehr als 2000 hat, „weiß“, wann es schalten muss und führt den entsprechenden Befehl unabhängig von den anderen aus. Da alle Segmente exakt gleich reagieren, wird ein optimaler Parallelbetrieb erreicht und die Schaltleistung variiert proportional zur Waferfläche. Es ist daher relativ einfach, eine entsprechend abgestufte Familie von GCT-Geräten zu entwickeln.

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